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ZXMN6A08GTA  与  BSP320S H6327  区别

型号 ZXMN6A08GTA BSP320S H6327
唯样编号 A3-ZXMN6A08GTA A-BSP320S H6327
制造商 Diodes Incorporated Infineon Technologies
供应商 唯样自营 唯样自营
分类 MOSFET 小信号MOSFET
描述 MOSFET N-CH 60V 3.8A SOT223
数据表
RoHs 无铅/符合RoHs 无铅/符合RoHs
规格信息
功率耗散Pd - 1.8W
宽度 - 3.5mm
上升时间 - 25ns
漏源极电压Vds - 60V
产品特性 - 车规
Qg-栅极电荷 - 9.7nC
栅极电压Vgs - 20V
正向跨导 - 最小值 - 2.5S
FET类型 - N-Channel
封装/外壳 SOT-223 PG-SOT223-4
连续漏极电流Id - 2.9A
工作温度 - -55°C~150°C
通道数量 - 1Channel
配置 - Single
系列 - BSP320
长度 - 6.5mm
下降时间 - 35ns
典型接通延迟时间 - 11ns
导通电阻Rds(On) - 120mΩ
高度 - 1.6mm
库存与单价
库存 3,000 0
工厂交货期 3 - 15天 56 - 70天
单价(含税) 暂无价格 暂无价格
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推荐型号

图片 原厂型号 制造商 数据手册 分类 关键参数 单价 库存 操作
ZXMN6A08GTA Diodes Incorporated  数据手册 MOSFET

SOT-223

暂无价格 3,000 当前型号
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 4,000 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

¥1.0888 

阶梯数 价格
50: ¥1.0888
2,145 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 1 对比
STN3NF06L STMicro  数据手册 功率MOSFET

±16V 3.3W(Tc) 100mΩ@1.5A,10V -55°C~150°C(TJ) SOT-223 N-Channel 60V 4A

暂无价格 0 对比
BSP320S H6327 Infineon 小信号MOSFET

60V 2.9A 120mΩ 20V 1.8W N-Channel -55°C~150°C 车规 PG-SOT223-4

暂无价格 0 对比

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